宾夕法尼亚大学：下丘脑神经元影响压力引发睡眠记忆障碍

美国宾夕法尼亚大学的研究人员发现，下丘脑中的一组神经元可能是压力引发睡眠和记忆障碍的关键。这项发表在《神经科学杂志》（The Journal of Neuroscience）上的研究指出，下丘脑的室旁核神经元通过特定机制介导压力对睡眠和记忆的影响，为治疗压力相关睡眠障碍提供了新方向。

此前研究已知，室旁核神经元通过释放促肾上腺皮质激素调节压力，并与睡眠和记忆相关脑区存在联系，但其具体作用机制尚不明确。为探索这一问题，研究人员对小鼠施加压力（例如通过将其限制在塑料管内），随后测试其记忆并监测睡眠时的脑活动。结果发现，受到压力的小鼠不仅睡眠质量下降，记忆能力也显著减弱。进一步实验显示，激活室旁核神经元会重现这些负面效应，而抑制这些神经元则能改善睡眠，并更显著地提升记忆表现。

这一发现表明，压力可能通过不同途径分别影响睡眠和记忆。神经科学家指出，这意味着“睡眠障碍与压力通路可能相对独立”。另外一些研究人员则认为，这一发现是理解压力如何影响行为的重要进展。

研究人员指出，睡眠和记忆问题是多种精神障碍（如创伤后应激障碍和重度抑郁症）的早期症状，往往在明确诊断之前就已出现。针对室旁核神经元的治疗有望延缓这些疾病的发展进程。

这项研究不仅揭示了压力与睡眠、记忆的关联，也为未来治疗相关疾病提供了潜在靶点。