激光巨量转移、钙钛矿、量子点,迈为股份、京东方、兆驰等8企MicroLED技术获重大进展!

内容摘要    在显示技术的激烈竞争中,MicroLED 技术凭借其卓越的性能,如高亮度、高对比度、高刷新率、长寿命和低功耗等,被公认为 “下一代显示技术” 的有力竞争者,在巨幕电视、商用显显、车载显示、AR眼镜等诸多领域展现出广泛应用前景。近期,

    在显示技术的激烈竞争中,MicroLED 技术凭借其卓越的性能,如高亮度、高对比度、高刷新率、长寿命和低功耗等,被公认为 “下一代显示技术” 的有力竞争者,在巨幕电视、商用显显、车载显示、AR眼镜等诸多领域展现出广泛应用前景。近期,迈为股份、溢彩芯光、赛富乐斯、欣奕华智、JBD上海显耀、京东方、兆驰半导体、镭昱光电等8企透露MicroLED 在专利技术、芯片、封装、工艺制造、巨量转移装备等方面取得显著进展。

迈为股份成功交付Micro LED MIP 转移段成套解决方案,助推Micro LED产业化进程

    近日,迈为股份自主研发的Micro LED MIP转移段成套解决方案成功交付显示领域客户,为其提供兼具量产效益及产品优势的先进装备与技术方案。

    MIP(Mini/Micro LED in Package)是一种芯片级封装技术,通过巨量转移技术将剥离衬底的 Micro LED三色发光芯片固定在载板上,经封装、切割、检测及混光后形成独立器件,可以降低微间距LED显示器的制造成本并提升产量。

    迈为股份自主开发的Micro LED MIP转移段成套解决方案集成了激光剥离 (LLO)、激光巨量转移(LMT)、激光切割等设备,覆盖MIP工艺中Micro LED芯片从外延层衬底剥离到巨量转移、精准切割与分离的全制程。其中,芯片转移环节采用的激光巨量转移设备,在实现数十万甚至上百万微米级的Micro LED晶粒精准且高效转移的同时,兼具智能化单颗回补功能,可显著提升MIP工艺流程的生产效率,降低单位制造成本,有力保障客户端Micro LED产品的良率、效率与品质。

    此次方案的交付,也标志着公司在MIP封装领域取得重要突破,进一步提升了其Micro LED核心制程设备的市占率。

1.5μm 精度领航!欣奕华智首台 Micro LED 激光巨量转移设备震撼交付

    6 月 13 日,合肥欣奕华智能机器股份有限公司(以下简称 “欣奕华智”)宣布,其首台 Micro LED 激光巨量转移设备正式下线交付客户。欣奕华智此次交付的 Micro LED 激光巨量转移设备,采用了多项自主研发的核心技术,具备多项行业领先优势。​

    设备搭载超高精度运动平台,可实现精密自动对位和芯片高效巨量转移,芯片转移综合精度控制在 1.5μm 以内,确保了芯片转移的准确性和稳定性。同时,自主设计的光路系统,实现了光斑高均匀性和稳定性,为芯片转移提供了可靠的光学保障。此外,设备还具备晶圆姿态检测及校正功能、光斑位置自校正功能,进一步提升了设备稳定性和生产效率。​

    在兼容性方面,该设备最大支持 G2.5 代(370mmX470mm)基板,可满足不同客户的多样化需求。搭配欣奕华智自研的 Micro LED 准分子激光剥离设备、DPSS 固体激光剥离设备,能够为客户提供一站式的 Micro LED 制程解决方案,助力客户降低生产成本,提高生产效率。​

    此次首台 Micro LED 激光巨量转移设备的交付,不仅彰显了欣奕华智自成立以来在新型显示领域不断积累的技术研发和创新实力,更为公司未来发展奠定了坚实基础。​

国内首款钙钛矿量子点全彩 Micro LED 芯片今秋量产

    近日,溢彩芯光科技(宁波)有限公司传来喜讯,其成功研发的国内首款钙钛矿量子点全彩微米级发光二极管(Micro LED)芯片,将于今年秋天实现批量供货。这款突破性的芯片,将率先应用于国产 AR 眼镜,为解决行业痛点、提升产品性能提供强大的 “中国芯” 支撑。​

    据溢彩芯光科技(宁波)有限公司创始人、总经理李飞介绍,这款芯片好比AR眼镜的‘翻译官’,负责把接收到的数字信号精准转化为光电信号。相比传统方案,该芯片不含重金属镉,更环保、成本更低。同时,转光层厚度更薄,提高出光效率,进一步降低了功耗。

    科研团队用了2年时间,攻克AR眼镜室外看不清、耗电快等痛点,比如在阳光明媚的室外,该芯片能以更高出光效率,让AR眼镜呈现更亮的图像,清晰适配人眼观赏需求。同时,芯片功耗降至500毫瓦以内,发热大幅减少。

    经过严苛的高温高湿加速老化实验,这款甬产芯片寿命突破500小时,相当于支持AR眼镜实际运行3万小时。目前,该芯片主攻AR眼镜市场。未来,车载AR-HUD(增强现实平视显示系统)、智能矩阵车灯、口袋投影仪等领域,都是其应用舞台。

赛富乐斯发布0.13 英寸单片全彩MicroLED 微显示屏

    近日,量子点 Micro LED 产品及解决方案提供商赛富乐斯(Saphlux LLC)正式推出 T3 系列 0.13 英寸单片全彩 MicroLED 微显示屏,为新一代增强现实(AR)眼镜带来更丰富的显示内容与更高效的信息提示体验。

T3-0.13英寸微显示屏采用赛富乐斯自主研发的纳米孔量子点(NPQD®)技术,在单片蓝光晶圆上通过量子点色转换实现RGB三色像素的高度集成。凭借NPQD®技术所具备的高光效、小尺寸和高可靠性,T3具备优异的量产可行性。该产品采用0.13英寸面板,分辨率为320*240,子像素间距为4µm。该方案兼具轻量化、低功耗的优势,并大幅降低了全彩MicroLED显示的制造成本,为AR终端的微型化、量产化提供了坚实支撑。

JBD成功将MicroLED微显示的坏点数从单屏≤100个降至≤3个,JBD ARTCs画质引擎商用落地

    坏点与暗点的数量一直是衡量MicroLED微显示产品可靠性和技术成熟度的关键指标。此前,受限于技术水平和生产工艺,行业内普遍面临单屏坏点数量接近100个的技术瓶颈,这在一定程度上阻碍了消费级AR终端的普及应用。为了打破这一技术制约,JBD近年来持续深入MicroLED微显示核心技术研究,将微显示屏的坏点数降至单屏≤3个,其中0坏点完美屏的比例大幅提升。

    不止于此,暗点同样是MicroLED微显示领域长期被忽视的技术挑战,它直接影响画面均匀性与成像质量。通过技术升级,JBD将单屏暗点率从高达0.4%降至0.03%的极低水平,再结合JBD独有的Demura像素亮度补偿算法,大幅度提高像素亮度均匀性。

    坏点与暗点对显示质量和用户体验有着较大的影响,死点会在图像中形成明显的黑色斑点,破坏画面的完整性和细节表现;暗点则会使图像出现灰暗瑕疵,影响色彩准确性和画面均匀性。在高对比度或明亮场景中,这些缺陷尤为显眼,容易分散用户注意力,降低视觉沉浸感。减少坏点和暗点,可以有效避免图像残缺、颜色暗淡失真等问题,显著提升画面的完整性和均匀性,在提升AR近眼显示场景的视觉质量方面起着至关重要的作用。

    另外,JBD近期宣布其自主研发的AR光波导眼镜系统级画质引擎—ARTCs,已深度应用于雷鸟创新(RayNeo)旗舰产品 雷鸟X3 Pro 中,为全彩MicroLED光波导AR眼镜带来焕然一新的视觉体验。ARTCs画质引擎的核心设备ARTCs-WG已成功在雷鸟创新产线落地,全面支持AR眼镜规模化量产。

    JBD业内首个AR光波导画质校正方案ARTCs及配套的量产设备ARTCs-WG系统通过光引擎侧处理和专有画质算法,将MicroLED光波导AR眼镜的全局亮度均匀性从 40% 提升至 80% ,色差ΔE从 0.1 降低至 ~0.02 ,有效消除了色彩失真与颗粒感,显著改善光波导的显示品质。

京东方、兆驰半导体、镭昱光电MicroLED专利

    江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利,授权公告号CN119364943B。该发明公开了一种Micro-LED外延片及其制备方法、涉及半导体光电器件领域。其中,Micro-LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层;

    所述第一翘曲调控层为三维GaN层,所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层,所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层,所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层。实施本发明,可提升Micro-LED的发光效率和波长均匀性。

    京东方科技集团股份有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置”的专利,公开号CN120113372A,该专利公开提供了一种Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置,Micro LED显示基板包括:驱动背板、多个Micro LED结构和多个色转换结构。其中,多个Micro LED结构间隔设置于驱动背板之上,且与驱动背板电连接;各Micro LED结构用于出射相同颜色的光线。一个色转换结构与一个Micro LED结构相对应,各色转换结构位于对应的Micro LED结构背离驱动背板的一侧,用于将对应的Micro LED结构出射的光线转换为设定颜色的光线,从而实现全彩图像的显示。

    镭昱光电科技(苏州)有限公司申请一项名为“Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法”的专利,公开号CN120112035A,本申请实施例公开了一种Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法,Micro-LED显示芯片包括了驱动面板、多个LED单元、多个栅格结构和波长转换层,而波长转换层背离于LED单元的一侧形成有粗糙层,基于此通过粗糙层的设置可以使Micro-LED显示芯片具备更大的出光表面积,进而可以改变光的出射方向,减少光子在界面处发生全反射,增加光子透过率,从而达到提升量子效率的目的,通过提高光子透过率可以提升Micro-LED显示芯片的显示亮度和色彩饱和度。

 
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