【TechWeb】在当下的芯片制造领域，先进工艺（特别是 7nm 以下）基本都依赖 ASML 的 EUV 极紫外光刻机，按照传统认知，没有 EUV 光刻机就难以造出先进工艺的芯片。不过，近期出现了一条打破常规的消息。
前段时间，有报道称世界上出现了一种“特殊”的 5nm 技术。这种 5nm 采用了与传统完全不同的技术路线，巧妙避开了对 EUV 光刻机的依赖。它使用步进扫描光刻机，通过多重曝光实现了 5nm 线宽。
在芯片制造过程中，光刻机是最为核心的设备。其主要功能是把掩模上的电路图案，借助光学系统投射到涂有光刻胶的硅片上，在光刻胶上形成精细图案，就如同“画工”在硅片上绘制电路图，芯片的制程由光刻机来决定。
而刻蚀机则在光刻完成后发挥作用。此次采用的某 5nm 刻蚀设备精度达到了原子级，号称刻蚀速率相比以往水平提升了 15%。刻蚀机主要是按照光刻机标注好的图案，通过化学或物理作用，将硅片上未被光刻胶保护的多余材料腐蚀掉，留下需要的部分，以形成半导体器件和连接的图案，类似于“雕工”。
此外，量测设备采用了新的电子束量测系统，可实现 nm 级缺陷检测的替代。
可以说，这种“另辟蹊径”的办法带动了半导体设备、材料、设计工具等全产业链的发展。也许在未来，运用这种方法还有可能制造出 3nm 的芯片，值得大家拭目以待。
0 条