兆驰半导体:3项Micro LED专利进入授权阶段

内容摘要    在Micro LED技术蓬勃发展的当下,企业的技术创新与专利突破显得尤为关键。作为该领域的重要参与者,兆驰半导体近期在专利成果上取得了显著进展,其3项Micro LED专利顺利进入授权阶段,这不仅是兆驰半导体研发实力的有力彰显,也为

联系电话:400-962-3929

    在Micro LED技术蓬勃发展的当下,企业的技术创新与专利突破显得尤为关键。作为该领域的重要参与者,兆驰半导体近期在专利成果上取得了显著进展,其3项Micro LED专利顺利进入授权阶段,这不仅是兆驰半导体研发实力的有力彰显,也为Micro LED行业的技术革新注入了新的活力。

    4月1日,“Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片”相关专利进入有效授权阶段

    本发明涉及光电技术领域,公开了一种Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片,所述Micro LED外延片包括衬底,所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层;第一多量子阱层包括至少一组依次层叠的第一InGaN量子阱层、第一AlGaN/GaN超晶格层和第一GaN量子垒层,第二多量子阱层包括至少一组依次层叠的第二InGaN量子阱层、第二AlGaN/GaN超晶格层和第二GaN量子垒层,第三多量子阱层包括至少一组依次层叠的第三InGaN量子阱层、空穴注入层和第三GaN量子垒层。

    本发明提供的Micro LED外延片能够提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效。

    3月18日,“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”、“高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”专利均进入有效授权阶段;两大发明均可提升发光效率。

    Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下:Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型GaN层、第一多量子阱层和P型GaN层,第一多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和第一量子垒层;量子阱层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、InxGa1‑xN层和AlN层;第一量子垒层包括依次层叠的第一AlGaN层、N型AlαGa1‑αN层、非掺杂AlaGa1‑aN层、N型AlβGa1‑βN层和第二GaN层;第一InGaN层中In组分占比呈递增变化,且其最大值≤x;第一AlGaN层中Al组分呈递减变化,且其最小值≥α。

    高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下:Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层;空穴扩展层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层;空穴存储层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层;空穴层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层;P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。

 
举报 收藏 打赏 评论 0
今日推荐
浙ICP备19001410号-1

免责声明

本网站(以下简称“本站”)提供的内容来源于互联网收集或转载,仅供用户参考,不代表本站立场。本站不对内容的准确性、真实性或合法性承担责任。我们致力于保护知识产权,尊重所有合法权益,但由于互联网内容的开放性,本站无法核实所有资料,请用户自行判断其可靠性。

如您认为本站内容侵犯您的合法权益,请通过电子邮件与我们联系:675867094@qq.com。请提供相关证明材料,以便核实处理。收到投诉后,我们将尽快审查并在必要时采取适当措施(包括但不限于删除侵权内容)。本站内容均为互联网整理汇编,观点仅供参考,本站不承担任何责任。请谨慎决策,如发现涉嫌侵权或违法内容,请及时联系我们,核实后本站将立即处理。感谢您的理解与配合。

合作联系方式

如有合作或其他相关事宜,欢迎通过以下方式与我们联系: