中国功率芯片开发商泰克天润（Global Power Technology） 在碳化硅 功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。
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法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示，2025 年第一季度全球申请了 840 多个新专利族。本季度的专利申请活动以东芝在 SiC 功率器件专利领域的加速发展为标志，以匹配 Global Power Technology的专利数量。
这家中国公司在过去四个季度一直是排名靠前的专利申请人，几乎完全专注于 SiC MOSFET 结构的设计。
第一季度授予了 420 多个专利族，其中有五家日本公司——电装/丰田、富士电机、住友电工、三菱电机和东芝——以及 GPT。所有这些都为电动汽车应用提供设备，凸显了技术的潜在转变。同样，日产-雷诺联盟申请了一项专利，旨在提高沟槽式 SiC MOSFET 的栅极可靠性，在栅极沟槽下方具有电场弛豫区域。
与此同时，本季度有 120 多项专利到期或被放弃，其中近 20% 来自目前面临破产的 Wolfspeed。
Microchip Technology 已恢复其在 SiC 功率器件专利领域的专利申请活动，披露了三项与具有硅通道的混合 SiC MOSFET 相关的发明，以提供更高的载流子迁移率和开关损耗、功率密度、
本季度还见证了约 40 项专利转让，在 1 月份被安森美 （onsemi） 收购后，Qorvo 将几项专利重新转让给了联合碳化硅公司 （United Silicon Carbide）。本季度还有 15 家新公司，其中大部分来自中国。
SICC 仍然是 SiC 衬底专利领域最多产的专利申请人之一，并且仍然是为数不多的为中国境外创新寻求专利保护的中国公司之一。其最近的 PCT 应用旨在通过减少残余内应力和在大直径 200mm 晶圆上实现更均匀的应力分布来提高晶体质量。
与此同时，普渡大学推出了一种基于 SiC MOS 的功率器件，具有超短通道长度，可实现超低的比导通电阻。
我们的 2025 年第一季度报告深入探讨下一代 SiC 器件，重点介绍了针对 SiC 超结结构（Rohm、Toshiba）、SiC JFET （Onsemi） 和 SiC IGBT（、GlobalFoundries、Rohm、Toshiba）发布新专利申请的公司。
在新公布的专利申请中，日立考虑将半绝缘 SiC 衬底用于 10kV 以上的中压 （MV） 应用，以降低相应 SiC 器件的制造成本，无论是 PiN 二极管还是 IGBT。
奥尔堡大学的一项新专利出版物也考虑了将设备集成到中压 15kV 功率模块中，旨在减少高压和接地焊盘之间沟槽中的最大电场。
封装也是一个关键的创新领域，安森美已经申请了倒装芯片和预成型夹片功率模块的专利，日立的高温下具有高键合可靠性的芯片贴装专利，以及赛米控丹佛斯的低电感布局的三电平功率模块的专利。
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