三星被曝将首次外包芯片“光掩模”生产,聚焦 ArF 和 EUV 等先进技术

内容摘要光掩模(版)系生产集成电路所需之模具,是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构,其原理类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上。韩国科技媒体 TheElec 今日报道称,三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包。据称,目前

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光掩模(版)系生产集成电路所需之模具,是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构,其原理类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上。

韩国科技媒体 TheElec 今日报道称,三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包。

据称,目前三星已启动供应商评估流程,候选企业包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美国 Photronics 旗下 PKL(IT之家注:厂址位于京畿道),评估结果预计第三季度公布。

TheElec 报道称,三星准备将低端产品(i-line 365 纳米、KrF 248 纳米)进行外包,内部仅保留高端光掩模(ArF 193 纳米、EUV 13.5 纳米),原 i-line / KrF 资源转向 ArF / EUV 研发。

报道称,三星决定将光掩模生产外包的原因有很多,主要是三星自家 i-line 和 Krf 设备已经老化,且不再生产,因此很难找到替代设备;而且低端光掩模技术外泄风险较低,三星更愿意集中力量冲击高端制程建设。

随着半导体技术越来越先进,电路图案越来越精细,生产流程中使用光掩模的数量也越来越多。例如 10nm 逻辑芯片需 67 张,而 1.75nm 预计需要 78 张;传统 DRAM 芯片需要 30-40 张,而现在最先进的 DRAM 芯片需要 60 多张。况且,多重曝光技术也进一步增加了光掩模所需数量。

 
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