台积电A14制程不采用High

内容摘要【TechWeb】台积电业务开发资深副总裁张晓强对外宣称，台积电A14制程不会采用High - NA EUV技术。据悉，该制程不引入High - NA EUV光刻技术，仍会坚持使用原有的EUV光刻设备。台积电坚信，即便没有High - NA

【TechWeb】台积电业务开发资深副总裁张晓强对外宣称，台积电A14制程不会采用High - NA EUV技术。据悉，该制程不引入High - NA EUV光刻技术，仍会坚持使用原有的EUV光刻设备。台积电坚信，即便没有High - NA EUV光刻设备，A14制程也能够达成性能、密度、良品率等方面的目标。

资料表明，A14作为台积电的下一世代制程技术，属于台积电1.4nm级半导体工程，其表现显著优于当前已商用的3nm工艺以及即将商用的2nm工艺。台积电公布的数据显示，和N2工艺（2nm）相比，A14在相同功耗的情况下能实现高达15%的速度提升，或者在相同速度时降低高达30%的功耗，并且逻辑密度会提升20%以上。

按照台积电的规划，A14计划于2028年投产。除了A14，台积电还规划了A14P、A14X、A14C等多个衍生版本。

 
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钱爱香

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